DSA90C200HB
V = VR
200
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
0.96
RthJC
0.55 K/W
min.
45
VRSM
V
900
T = 25°CVJ
T = °CVJ
125
mA
5
V = VR
200
T = 25°CVJ
I = AF
45
V
T = °CC
145
Ptot
275
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
1.18
T = 25°CVJ
VF0
V
0.52
T = °CVJ
175
rF
6.5
m?
V
0.86
T = °CVJ
125
I = AF
45
V
1.14
I = AF
90
I = AF
90
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
200
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
261
junction capacitance
V = VR
24 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
820
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Schottky
200
0.25
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131031d
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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